የተለመዱ ጉድለቶች እና የ Tungsten Carbide Sintering መንስኤዎች

ሲንቴሪንግ የዱቄት ቁሳቁሶችን ወደ ጥቅጥቅ ያለ ቅይጥ የመቀየር ሂደትን የሚያመለክት ሲሆን በሲሚንቶ ካርበይድ ምርት ሂደት ውስጥ በጣም አስፈላጊ እርምጃ ነው. የተንግስተን ካርቦዳይድ የማቀነባበር ሂደት በአራት መሠረታዊ ደረጃዎች ሊከፈል ይችላል-የመፈጠራቸውን እና የቅድመ-መዋሃድ ደረጃን ማስወገድ ፣ ጠንካራ-ደረጃ የማጣመም ደረጃ (800 ℃ - eutectic ሙቀት) ፣ ፈሳሽ ደረጃ የመገጣጠም ደረጃ (eutectic ሙቀት - የሙቀት መጠኑ) እና ማቀዝቀዝ። ደረጃ (የሙቀት መጠን - የክፍል ሙቀት). ነገር ግን የማፍሰሱ ሂደት በጣም የተወሳሰበ ስለሆነ እና ሁኔታዎቹ አስቸጋሪ ስለሆኑ ጉድለቶችን ለማምረት እና የምርቶቹን ጥራት ለመቀነስ ቀላል ነው. የተለመዱ የመገጣጠሚያ ጉድለቶች እና መንስኤዎቻቸው የሚከተሉት ናቸው ።

1. ልጣጭ

ሲሚንቶ የተሰራ ካርበይድ የመላጥ ጉድለት ያለበት ለመስነጣጠቅ እና ኖራ ለመበተን የተጋለጠ ነው። ለመላጥ ዋናው ምክንያት ካርቦን የያዘው ጋዝ ነፃ ካርቦን በመበስበስ የተጨመቁ ምርቶች የአካባቢ ጥንካሬ እንዲቀንስ ስለሚያደርግ መፋቅ ያስከትላል.

2. ቀዳዳዎች

ቀዳዳዎች ከ 40 ማይክሮን በላይ ያመለክታሉ. ቀዳዳዎችን ለማፍለቅ ዋናው ምክንያት በተቀባው አካል ውስጥ በመፍትሔው ብረት ያልረጠበ ቆሻሻዎች መኖራቸውን ወይም የጠንካራውን ክፍል እና የፈሳሽ ክፍልን በከፍተኛ ሁኔታ መለየት, ይህም ቀዳዳዎች ሊፈጠሩ ይችላሉ.

3. እብጠት

አረፋው በሲሚንቶ ካርበይድ ላይ ኮንቬክስ ገጽን ይፈጥራል, በዚህም የተንግስተን ካርቦይድ ምርትን አፈፃፀም ይቀንሳል. የታሸጉ አረፋዎች መፈጠር ዋና ዋና ምክንያቶች-

1) አየር በተሸፈነው አካል ውስጥ ይከማቻል. በማሽቆልቆሉ ሂደት ውስጥ, የተበላሸው አካል ፈሳሽ ደረጃ እና ጥቅጥቅ ያለ ይመስላል, ይህም አየሩን ከመውጣቱ ይከላከላል, ከዚያም በትንሹ የመቋቋም ችሎታ ባለው የጭቃው አካል ላይ የተንቆጠቆጡ አረፋዎችን ይፈጥራል;

2) በተፈጠረው አካል ውስጥ ከፍተኛ መጠን ያለው ጋዝ የሚያመነጭ ኬሚካላዊ ምላሽ አለ, እና ጋዙ በተቀባው አካል ውስጥ ተከማችቷል, እና አረፋው በተፈጥሮ የተፈጠረ ነው.

4. መበላሸት

በሲሚንቶ ካርቦሃይድሬት ውስጥ የተለመዱ የመበላሸት ክስተቶች ፊኛ እና ሾጣጣ ናቸው. የመበላሸቱ ዋና ዋና ምክንያቶች የታመቀ የታመቀ ውፍረት ያልተመጣጠነ ስርጭት ናቸው። በተሰበረው አካል ላይ ከባድ የካርበን እጥረት፣ ምክንያታዊ ያልሆነ የጀልባ ጭነት እና ያልተስተካከለ የድጋፍ ሳህን።

5. ጥቁር ማእከል

ጥቁር ማእከላዊው በቅይጥ ስብራት ላይ ከላጣው ድርጅት ጋር ያለውን ክፍል ያመለክታል. ለጥቁር ልብዎች ዋናው ምክንያት ካርበሪንግ ወይም ዲካርቦራይዜሽን ነው.

6. ስንጥቅ

ክራክ በሲሚንቶ ካርቦሃይድሬት ውስጥ በማቀነባበር ሂደት ውስጥ በአንጻራዊነት የተለመደ ክስተት ነው. ለብልሽት ዋና ዋና ምክንያቶች-

1) የግፊት ማስታገሻው ብሌቱ ሲደርቅ ወዲያውኑ አይታይም, እና በሲሚንቶ ጊዜ የመለጠጥ ማገገም ፈጣን ነው;

2) ቢሊው ሲደርቅ በከፊል ኦክሳይድ ይደረግበታል, እና የኦክሳይድ ክፍሉ የሙቀት መስፋፋት ከኦክሳይድድ ክፍል የተለየ ነው.

የተንግስተን ካርቦዳይድ ምርቶች ላይ ፍላጎት ካሎት እና ተጨማሪ መረጃ እና ዝርዝር መረጃ ከፈለጉ፣ በግራ በኩል በስልክ ወይም በፖስታ ሊያግኙን ወይም ከገጹ ግርጌ የሚገኘውን US MAIL መላክ ይችላሉ።